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受控 ESR 電容器:您應該將它們用于電源完整性嗎?
受控 ESR 電容器:您應該將它們用于電源完整性嗎?
我想不出我構建的單個(gè)產(chǎn)品不需要電容器。我們經(jīng)常談?wù)撾娙萜髦械挠行Т?lián)電感 (ESL) 及其對電源完整性的影響。有效串聯(lián)電阻 (ESR) 怎么樣?是否有一種技術(shù)可以用來(lái)確定適當的阻力水平,并且可以利用 ESR 來(lái)發(fā)揮自己的優(yōu)勢?
與重要工程問(wèn)題的許多答案一樣,答案是“視情況而定”。您可以用來(lái)利用電容器串聯(lián)電阻的一種電容器是受控 ESR 電容器。根據您需要達到的阻抗目標和高速 PDN 中所需的低阻抗帶寬,您可能會(huì )發(fā)現這些組件可用作去耦電容器。但是,不要依賴(lài)這些組件來(lái)解決 PDN 阻抗問(wèn)題;智能組件選擇和模擬將為您提供為高速/高頻設計生成平坦 PDN 阻抗譜的最佳機會(huì )。
為什么要使用可控 ESR 電容器?
受控 ESR 電容器具有可重復的 ESR 值,如組件引線(xiàn)所示。通常,當有人提到“受控 ESR 電容器”時(shí),他們指的是 ESR 值在數百 mOhm 范圍內的小外殼電容器。更具體地說(shuō),將某個(gè)電容器指定為受控 ESR 的組件制造商告訴您,他們可以保證最小 ESR 值,以及您將在數據表中找到的更精確的典型 ESR 值。
請注意,非常大的電容器可能具有較大的 ESR 值,這在電力電子設備中很典型(并且很有用);當我們提到受控 ESR 電容器時(shí),我們指的不是這些大電容、大外殼組件。一些多層陶瓷電容器 (MLCC)作為受控 ESR 電容器銷(xiāo)售,但該術(shù)語(yǔ)在技術(shù)上適用于任何類(lèi)型的電容器。
在選擇去耦元件時(shí),尤其是在高頻時(shí),受控 ESR 電容器經(jīng)常被忽視是有充分理由的。當我們談?wù)?span> PDN 阻抗時(shí),我們始終致力于確保低阻抗,以便在數字組件中發(fā)生開(kāi)關(guān)事件時(shí)最大限度地減小 PDN 中任何瞬態(tài)響應的幅度。目標 PDN 阻抗值可以達到低于 10 mOhm 的水平,但受控 ESR 電容器可以為 PDN 貢獻數百 mOhms 的阻抗,這是我們通常不想要的。然而,它開(kāi)啟了兩個(gè)可能的設計目標的可能性:
僅使用低 ESR 電容器以確保 PDN 阻抗盡可能低
使用一些受控 ESR 電容器來(lái)嚴格抑制瞬態(tài)響應
第二個(gè)設計目標很好,但并不總是實(shí)用。這有幾個(gè)原因,我將在下一節中討論。
受控 ESR 電容器如何影響 PDN 阻抗
首先,讓我們看一下電容器的典型電路模型,以及如何在 PCB 上的 PDN 中鏈接多個(gè)電容器。下面的原理圖顯示了一組 4 個(gè)并聯(lián)電容器的電路模型。目前,讓我們假設它們都具有相同的 ESL 和 ESR 值,但電容不同,如下所示:
在這里,我們有 50 mOhms ESR 的電容器,當然不足以被視為受控 ESR 電容器。該示意圖的重點(diǎn)是 PDN 可以粗略地建模為一組并行的 RLC 網(wǎng)絡(luò )。如果您還記得基本的交流電路類(lèi),那么您就會(huì )知道 RLC 網(wǎng)絡(luò )中的電阻(或受控 ESR 電容器中的 ESR)將決定網(wǎng)絡(luò )的 Q 因數:具有較高 ESR 值的電容器將有所貢獻更高的非共振阻抗,但在其帶寬內將具有更平坦的阻抗。
僅通過(guò)考慮 ESR 值并意識到您在 PDN 中有一堆并行 RLC 網(wǎng)絡(luò ),就可以預測需要在何處添加一組受控 ESR 電容器與低 ESR 電容器以使阻抗變平PDN 的。假設沒(méi)有任何自諧振頻率重疊,我們通常會(huì )在 PDN 阻抗譜中看到多個(gè)波峰和波谷(分別為反諧振和諧振),它們對應于 PDN 中的極點(diǎn)和零點(diǎn)。如果您有 N 個(gè)獨特的電容器,那么您可以期望 PDN 中有 N 個(gè)極點(diǎn)。具有足夠高 ESR 的受控 ESR 電容器可以消除這些峰值之一。
具有多個(gè) ESR 值的示例
為了看看如果我們有多個(gè)具有不同 ESR 值的電容器會(huì )發(fā)生什么,讓我們看一個(gè)例子。在下圖中,我展示了在掃描各種 ESR 值時(shí)使用四個(gè)不同電容器組的 PDN 阻抗仿真結果。
|
C |
ESL |
血沉 |
C1 |
1 uF |
5 nH |
50 毫歐 |
C2 |
100 nF |
5 nH |
模擬的不同 |
C3 |
10nF |
5 nH |
模擬的不同 |
C4 |
0.1 nF |
5 nH |
50 毫歐 |
C2 和 C3 的 ESR 值從 50 毫歐到 750 毫歐不等。正如我們在下面看到的,增加這些電容器的 ESR 值具有平滑部分 PDN 阻抗譜的效果。
仿真結果顯示了在 PDN 中使用具有較大 ESR 值的電容器時(shí)會(huì )發(fā)生什么。
這種效果很有趣,因為我們可以看到它在頻率方面跨越了整整十年。請注意,可以從 10 MHz 到 100 MHz 看到平滑。上圖僅捕獲了電容器的影響,它不包含有關(guān)板中平面電容、平面諧振或平面/走線(xiàn)/導軌電感的任何信息。
為什么不以臨界阻尼為目標?
您當然可以將復雜的 PDN 阻抗作為傳遞函數,并使用它來(lái)計算 PDN 中各種組件的電源引腳處的電壓波動(dòng)。然而,因為我們通常有一個(gè) N 極問(wèn)題,穩定性所需的 ESR 值不一定服從一個(gè)簡(jiǎn)單的方程。我會(huì )將其作為一階特征值問(wèn)題來(lái)處理,并計算 PDN 的每個(gè)部分的穩定性標準,這需要大量數學(xué)運算。在有一款軟件可用于自動(dòng)執行此操作之前,我會(huì )通過(guò)向PDN戰略性地添加更多電容器來(lái)專(zhuān)注于盡可能接近目標 PDN 阻抗。
結論:有用,但不是靈丹妙藥
任何時(shí)候您需要抑制由電路中的 L 和 C 元件驅動(dòng)的瞬態(tài)振蕩,解決方案就是增加電阻。雖然通常不會(huì )以這種方式傳達,但最佳解決方案是嚴格抑制瞬態(tài)響應,以便任何瞬態(tài)響應的邊緣速率都達到最佳速度,同時(shí)抑制振蕩。阻力太大,由于過(guò)阻尼,上升時(shí)間很慢。
在上述結果中,我們著(zhù)眼于對阻抗的影響,而不是對時(shí)域瞬態(tài)響應的影響。然而,結果很明顯:通過(guò)使用受控 ESR 電容器增加一些電阻可以平滑 PDN 阻抗,這正是我們在數字 PDN 中所希望的。您可以簡(jiǎn)單地添加更多的并聯(lián)電容器以將整個(gè) PDN 阻抗曲線(xiàn)向下移動(dòng)到更低的值。