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CMOS圖像傳感器簡(jiǎn)介
圖像傳感器是數字成像系統中的主要組成部分之一，并強烈影響整個(gè)系統的性能。圖像傳感器的兩種主要類(lèi)型是電荷耦合器件（CCD）和CMOS成像器。在本文中，我們將介紹CMOS圖像傳感器的基礎知識。
查看我們的電荷耦合器件（CCD）圖像傳感器系列。您可以從CCD的結構和功能開(kāi)始。
CMOS光電探測器
大多數CMOS光電檢測器基于PN結光電二極管的操作。當光電二極管反向偏置（并且反向電壓小于雪崩擊穿電壓）時(shí)，與入射光強度成比例的電流分量將流過(guò)二極管。該電流分量通常被稱(chēng)為光電流。
由于光電流隨光強度線(xiàn)性增加，因此我們可以使用光電二極管來(lái)構建光檢測器。這種光檢測結構的抽象表示如下所示。
（a）光電探測器的示意圖（b）光電流值的變化與時(shí)間的關(guān)系。
重置開(kāi)關(guān)在曝光周期開(kāi)始時(shí)閉合，以將光電二極管反向偏置到VD電壓。接下來(lái)，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，并產(chǎn)生與入射光強度成比例的光電流。該電流在毫微微安至皮安的范圍內，并且太小而無(wú)法直接測量。如果我們讓光電二極管在設定的時(shí)間段內曝光，則電流將在二極管電容CD上積分。存儲的電荷為我們提供了更容易測量的更強的累積信號。此外，合并的平均過(guò)程使累積的信號更真實(shí)地表示所測得的光強度，尤其是在處理微弱或嘈雜的信號時(shí)。
請注意，阱容量Qwell設置CD可以容納的電荷量的上限。超過(guò)一定的光強度時(shí)，二極管將飽和，并且累積電荷將等于上圖所示的最大值。因此，必須仔細選擇整合期。
應該考慮的另一個(gè)非理想效應是，除了光電流之外，還有另一個(gè)電流分量稱(chēng)為暗電流流過(guò)二極管。暗電流是在沒(méi)有光的情況下產(chǎn)生的電流。必須最小化此電流分量以最大化器件靈敏度。
CMOS圖像傳感器的框圖
CMOS圖像傳感器的基本結構如下所示。
光電探測器的二維陣列用于感測入射光強度。光電探測器產(chǎn)生的電荷被轉換成電壓信號，并通過(guò)“行選擇”和“列選擇”開(kāi)關(guān)陣列傳遞到輸出放大器。ADC用于數字化放大后的信號。
為了執行讀出，將給定行的像素值并行地傳送到一組存儲電容器（未在上面示出），然后，順序地讀出這些傳送的像素值。
上圖顯示了APS（有源像素傳感器）架構。在APS設備中，每個(gè)像素位置不僅包含光電二極管，而且包含放大器。稱(chēng)為PPS（無(wú)源像素傳感器）的更簡(jiǎn)單的體系結構沒(méi)有將放大器集成到像素中。在DPS（數字像素傳感器）設備中，每個(gè)像素都有自己的模數轉換器和存儲塊。因此，DPS體系結構中的像素輸出與光強度成比例的數字值。
DPS或示意圖像素傳感器的示意圖。
CMOS圖像傳感器的優(yōu)缺點(diǎn)
顧名思義，CMOS圖像傳感器采用標準CMOS技術(shù)制造。這是一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)，因為它使我們能夠將傳感器與成像系統所需的其他模擬和數字電路集成在一起。集成解決方案使我們能夠降低功耗并提高讀出速度。其他圖像傳感器技術(shù)（例如電荷耦合器件（CCD））則不是這種情況，這些技術(shù)基于針對電荷轉移和成像進(jìn)行了優(yōu)化的專(zhuān)用制造技術(shù)。
CMOS圖像傳感器的缺點(diǎn)在于，讀出路徑中有多個(gè)有源器件會(huì )產(chǎn)生隨時(shí)間變化的噪聲。此外，制造上的不一致會(huì )導致不同像素的電荷電壓放大器之間的失配。這將導致固定模式的噪聲，即使將不同的像素暴露在均勻的照明下，它們也會(huì )產(chǎn)生不同的值。
反向偏置的光電二極管產(chǎn)生的電流分量與入射光強度成正比。這些光電探測器的二維陣列可用于實(shí)現CMOS圖像傳感器。CMOS圖像傳感器中的像素可能具有不同的復雜度。例如，CMOS圖像傳感器的像素不僅可以包含光電二極管，而且可以包含放大器。DPS（數字像素傳感器）設備使用更復雜的像素，其中每個(gè)像素都有自己的模數轉換器和存儲塊。
CMOS圖像傳感器的最重要優(yōu)點(diǎn)是可以將傳感器與成像系統所需的其他模擬和數字電路集成在一起?？赡軙?huì )降低CMOS圖像傳感器性能的兩個(gè)噪聲源是：不同像素的組件之間的制造失配以及讀出路徑中有源器件產(chǎn)生的噪聲。