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技術(shù)專(zhuān)題
單片機開(kāi)發(fā)模擬IC設計
模擬IC設計與數字IC設計
模擬IC設計與數字IC設計有很大不同。在數字IC設計大多是在抽象的層次上完成的系統和過(guò)程中，確定柵極/晶體管級布局和布線(xiàn)的細節的地方，模擬IC設計通常將更多的個(gè)性化焦點(diǎn)集中在每個(gè)電路上，甚至包括每個(gè)電路的尺寸和細節。
晶體管。
同樣，許多鑄造工藝主要是為具有模擬功能的數字IC開(kāi)發(fā)的，這就要求模擬IC設計人員應對工藝限制和更適合數字IC的功能進(jìn)行工作。
模擬設計團隊通常從一組規范和功能入手，就像數字IC設計一樣。從那里開(kāi)始，可以使用各種功能的功能模型進(jìn)一步縮小約束條件，并做出有關(guān)設備尺寸，類(lèi)型和其他過(guò)程功能的決策。這可能包括晶體管的選擇，高層布局，電感器和電容器技術(shù)的加入以及IC和子電路的理想品質(zhì)因數。
諸如VHDL-AMS之類(lèi)的體系結構硬件描述語(yǔ)言（AHDL）用于執行高層仿真并確定子塊的約束。雖然模擬設計人員也經(jīng)常為其子電路設計開(kāi)發(fā)測試臺，但也可以在此階段開(kāi)發(fā)一個(gè)測試臺，隨后將其用于仿真。
電路設計，物理布局和仿真
有了這些詳細信息并根據模擬電路的復雜性，模擬設計團隊通常會(huì )將子電路設計分配給個(gè)人。進(jìn)行了理想的宏級測量，可以進(jìn)一步確定子電路的約束和性能期望。
然后，將這些宏示意圖分解為示意圖，并使用從鑄造過(guò)程中建模的電路元件。對這些電路進(jìn)行仿真和優(yōu)化，然后開(kāi)始物理布局過(guò)程。在進(jìn)行寄生提取和布局后仿真之前，先進(jìn)行布局和布線(xiàn)，然后進(jìn)行設計規則檢查（DRC）和布局與原理圖。
布局后的仿真可能會(huì )揭示設計中的缺陷，并且可能需要重新設計，布局和仿真的迭代過(guò)程才能達到最終的設計目標，并將IC提交流片。子電路也可能在整個(gè)芯片布局和仿真之前經(jīng)歷其自己的設計，布局和仿真過(guò)程，盡管這兩種方法都可能導致需要在流片之前重新設計電路。
模擬抽象水平
以下是模擬IC設計過(guò)程的抽象級別：
功能性
行為的
巨集
電路圖
晶體管
物理布局
模擬IC設計流程
與模擬IC設計相關(guān)的具體步驟可以分為以下幾類(lèi)：
設計規范
技術(shù)指標
約束條件
拓撲結構
測試臺開(kāi)發(fā)
原理圖流程
系統級原理圖輸入
架構HDL仿真
塊HDL規范
電路級原理圖輸入
電路仿真與優(yōu)化
物理流量
基于PCell的布局條目
設計規則檢查（DRC）
布局與原理圖（LVS）
寄生提取
布局后模擬
出帶