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intel：EUV技術(shù)性已提前準備好，但仍遭遇極大挑戰
intel(Intel)EUV方案的責任人Britt Turkot表達，其極紫外線(xiàn)(EUV)微影技術(shù)性早已“搞好了提前準備…而且資金投入了很多的科研開(kāi)發(fā)”。她一起表達，要掌控這一繁雜而價(jià)格昂貴的系統軟件來(lái)生產(chǎn)制造大批領(lǐng)跑集成ic，技術(shù)工程師們依然遭遇許多挑戰。
Turkot還詳細介紹，intel在俄勒岡州波特蘭市(Portland, Oregon)的超大加工廠(chǎng)中正運行著(zhù)大如屋子的EUV系統軟件，但她并沒(méi)有表露EUV將怎樣或是不是用以該企業(yè)現階段的10納米技術(shù)(nm)商品或方案中的7納米技術(shù)連接點(diǎn)。
intel是二十幾年前協(xié)助開(kāi)發(fā)設計這項技術(shù)的好多個(gè)半導體材料企業(yè)之首，但都是最終一間確定應用它的企業(yè)。上年，其競爭者三星手機(Samsung)和臺積電(TSMC)各自公布早已在應用EUV系統軟件來(lái)拓展其7納米技術(shù)連接點(diǎn)，以在硅芯片上保持最好的作用或特點(diǎn)。
殊不知，臺積電的N7+僅在4個(gè)金屬材料層上選用了EUV，這代表它依然必須在別的金屬材料層應用傳統式滲入式步進(jìn)電機器的雙向圖樣曝出技術(shù)性。
臺積電的決策將會(huì )是“有關(guān)貨運量，她們有著(zhù)的EUV設備總數，及其成本費上的衡量…三星手機將會(huì )會(huì )在EUV設備上做大量資金投入，”一名不肯表露名字的內部人士表達。
每一EUV系統軟件成本增加達大概1.5億美金，而商業(yè)生產(chǎn)流水線(xiàn)必須好幾個(gè)EUV。
臺積電新聞發(fā)言人孫又文表達：“人們的確在多層面中布署了雙向圖樣曝出技術(shù)性?！彼亟^表露臺積電在其N(xiāo)7+連接點(diǎn)中應用EUV的金屬材料疊加層數?！案鶕喾N多樣要素考慮到一起應用滲入式雙向圖樣曝出與EUV技術(shù)性，EUV的成本費和成熟情況與滲入式對比或許很關(guān)鍵?！?
三星手機已經(jīng)積極主動(dòng)減少其選用EUV的7納米技術(shù)連接點(diǎn)價(jià)錢(qián)，它為某些原創(chuàng )企業(yè)出示了1個(gè)全方位掩模套服，其價(jià)錢(qián)小于其競爭者的雙層掩模(MLM)套服。臺積電于2007年發(fā)布了MLM套服用于減少小大批量生產(chǎn)的成本費，而聽(tīng)說(shuō)三星手機的全方位掩模套服其成本費只能MLM的60%上下。
三星手機回絕從總體上代工企業(yè)的產(chǎn)品報價(jià)或怎么使用EUV發(fā)帖子。一名三星手機高層住宅負責人推斷，intel延遲時(shí)間其10納米技術(shù)加工工藝的發(fā)布時(shí)間，一部分緣故取決于其勵志于建設地方案應用COAG(contact over active gate)技術(shù)性。她說(shuō)，三星手機將逐漸向COAG邁入，但回絕出示關(guān)鍵點(diǎn)。
intel工程項目長(cháng)(chief engineering officer)Murthy Renduchintala在他近期的一篇文章部落格文章內容連用勵志于建設來(lái)敘述該企業(yè)的10納米技術(shù)連接點(diǎn)。他表達10納米芯片已經(jīng)資金投入生產(chǎn)制造，而7納米技術(shù)連接點(diǎn)已經(jīng)優(yōu)良進(jìn)度中。
Turkot表達，intel都還沒(méi)決策將在是多少金屬材料層上選用EUV，并填補說(shuō)，挑選在什么層上運用EUV是科學(xué)研究，一起都是造型藝術(shù)?！案鲗雍馁M的成本費并不是1個(gè)簡(jiǎn)易的測算， 它并不是立即政治經(jīng)濟學(xué)?！?
舉例來(lái)說(shuō)，單獨EUV曝出能夠 將層的掩模數降低，有時(shí)候比例達至5：1。而滲入式步進(jìn)電機器的雙向圖樣曝出則有利于減少邊沿置放不正確，她強調。
系統可靠性是危害成本費的另外自變量。intel現階段匯報的其EUV系統軟件一切正常運作時(shí)間約為75%~80%?！斑@一大數字長(cháng)久看來(lái)是不夠的，但卻得以導入這項技術(shù)，”Turkot說(shuō)?！叭藗兤诖艹^(guò)90時(shí)代滲入式的一切正常運作時(shí)間?！?
Turkot強調，喜訊是關(guān)機時(shí)間“更非常容易分折”了?！耙酝@樣的事情極不能分折，(這促使)保持產(chǎn)品系列，及其深化開(kāi)發(fā)量產(chǎn)線(xiàn)越來(lái)越很艱難?！?
可信性的改善絕大多數來(lái)源于于“掌握典型性意料中的微影小工具關(guān)機時(shí)間，創(chuàng )建專(zhuān)業(yè)技能迅速確診難題，并在全部精英團隊中執行必需的解決方法?！?
對EUV貨運量的關(guān)心現階段關(guān)鍵集中化在燈源的輸出功率上。EUV燈源是1個(gè)重要且繁雜的部件，它穿透用雷射敲擊幾滴熔融的錫來(lái)造成光，殊不知，在實(shí)作中，Turkot提議了另外EUV部件—光粉塵收集器，其已經(jīng)變成保證系統貨運量和一切正常運作時(shí)間的更關(guān)鍵的原素。
intelEUV系統軟件的燈源輸出功率范疇從205W~285W。在圓晶級別，“因為應用了粉塵收集器，他們出示同樣的輸出功率，”Turkot說(shuō)?！暗珗A晶輸出功率由于粉塵收集器的衰退每日都會(huì )轉變?！?
這兒，再提及1個(gè)喜訊，就是說(shuō)“ASML的總體目標很清楚，穿透拆換粉塵收集器來(lái)驅動(dòng)器曝出源輸出功率和關(guān)機時(shí)間的改進(jìn)…去除固定不動(dòng)支出、拆換粉塵收集器、恢復系統并降低環(huán)境污染率，ASML在這種層面已獲得了挺大進(jìn)度?！?
另一個(gè)，ASML如今出示這種稱(chēng)為塑料薄膜的原膜，它能夠 維護圓晶免遭礦酸物體的危害，不然礦酸物體會(huì )環(huán)境污染他們并減少生產(chǎn)量。
憧憬未來(lái)，科學(xué)研究工作人員擔憂(yōu)被稱(chēng)作隨機指標的隨機誤差難題會(huì )毀壞或不可以進(jìn)行用EUV系統軟件繪圖圖樣，這將限定他們在5納米技術(shù)及左右的運用。
Turkot卻對于表達開(kāi)朗，隨之EUV燈源和抗蝕劑有機化學(xué)層面的發(fā)展，這種難題會(huì )獲得改進(jìn)。
“光子美容打靶噪音能夠 穿透更大的曝光率來(lái)擺脫。而抗蝕劑中有機化學(xué)層面的發(fā)展則必須抗蝕劑界開(kāi)展很多產(chǎn)品研發(fā)工作中?！?
“她們務(wù)必掌握高效率能量曝出造成的二次電子和正離子中原材料的放熱反應…現在還沒(méi)有就化學(xué)物質(zhì)隨機指標的量度達成協(xié)議，”Turkot注重，雖然早已有許多畢業(yè)論文討論了這一主題風(fēng)格。
“針對現階段EUV的應用，我不會(huì )覺(jué)得隨機指標會(huì )對生產(chǎn)量有危害，但當EUV拓展到5納米技術(shù)及左右連接點(diǎn)時(shí)，這會(huì )是1個(gè)潛在性的限定要素。等你那天，期待抗蝕劑供應商早已對其有充足的了解能夠 擺脫它。重要是如今還要勤奮?！?
Turkot回憶初次見(jiàn)到今日的EUV系統軟件時(shí)，“它的巨大經(jīng)營(yíng)規模和多元性是輾壓性的”，而用以3納米技術(shù)及左右連接點(diǎn)的下代系統軟件也要大很多。
從總體上，Turkot覺(jué)得還有機會(huì )選用這一巨大的系統軟件來(lái)促進(jìn)半導體技術(shù)發(fā)展趨勢是“十分有使用價(jià)值的”?！芭c一切新服務(wù)平臺相同，EUV的健全必須努力許多勤奮。人們的總體總體目標是保持無(wú)縫拼接銜接，在芯片生產(chǎn)全過(guò)程中看不出來(lái)有什么不同?！?