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    技術(shù)專(zhuān)題

    電路設計電感方程的應用


    一個(gè)電感器具有電感和存儲能量的磁場(chǎng)屬性。流過(guò)環(huán)路或線(xiàn)圈的交流電會(huì )在線(xiàn)圈的一根導線(xiàn)中感應出電壓或EMF。因為電流量增加和減少,所以磁場(chǎng)也增加和減少。當磁場(chǎng)在導線(xiàn)周?chē)纬赏沫h(huán)時(shí),這些環(huán)會(huì )合在一起,形成圍繞線(xiàn)圈的較大環(huán)。線(xiàn)圈的一個(gè)回路中電流的增加會(huì )導致磁場(chǎng)擴展并切割導線(xiàn)的其他回路,并在回路中感應出電壓。

    切割導線(xiàn)的圓形環(huán)并將電流注入到間隙中會(huì )產(chǎn)生磁通密度(Φ),該磁通量密度(Φ)穿透被電流包圍的表面。法拉第感應定律通過(guò)顯示磁場(chǎng)中的任何變化都會(huì )在導體中感應出電壓來(lái)描述環(huán)路電感的影響。電感值等于感應的電磁力或電壓與電流變化率之比。電壓隨時(shí)間(t)的變化具有最大值。

    由于EMF與匝數成正比,因此具有多個(gè)回路的線(xiàn)圈產(chǎn)生的電壓比單個(gè)線(xiàn)圈產(chǎn)生的電壓大N倍。在方程式中,EMF等于:

    N =ΔΦ/Δt

    增加頻率或增加線(xiàn)圈匝數會(huì )增加感應電壓。該方程式的另一種形式是從感應電壓的角度看待該值:

    感應電壓(VL=亨利中的電感(L)值乘以每秒安培變化率(di / dt)或VL = L x di / dt

    當我們用電來(lái)觀(guān)察亨利時(shí),亨利等于當線(xiàn)圈中的電流(i)以每秒1安培的速率(t)變化時(shí)感應一伏特所需的電感值。該方程式告訴我們,電流會(huì )發(fā)生變化,并在電感兩端產(chǎn)生一個(gè)力,從而抵抗電感的慣性。沒(méi)有穩定的電流變化,力就不會(huì )增加。

    在原始方程式中加上負號表明,EMF會(huì )產(chǎn)生一個(gè)電流和一個(gè)與通量的變化相反的磁場(chǎng):

    -N xΔΦ/Δt

    因為海因里希·倫茨陳述了歸納法的這一方面,所以我們將其稱(chēng)為倫茨定律。歸納反對并減緩任何變化。倫茨告訴我們,感應電流的方向會(huì )引起磁場(chǎng),并與感應電流的磁場(chǎng)變化相反。當載流導線(xiàn)中的電流發(fā)生變化時(shí),就會(huì )發(fā)生自感或電壓的自感。由變化的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì )在電路中自感生電壓。

    在導體上施加電壓會(huì )在導體周?chē)⒋艌?chǎng)。磁場(chǎng)的增加阻止了電流在施加電壓的同一瞬間流動(dòng)。隨著(zhù)磁場(chǎng)的穩定,電流流動(dòng)。去除電流源會(huì )導致磁場(chǎng)崩潰,并產(chǎn)生使電流沿相同方向流動(dòng)的力。

    電感影響電流時(shí),總效果取決于電感的大小和該點(diǎn)的頻率。大電感或高頻率會(huì )導致電流減小。較小的電感器或較低的頻率會(huì )產(chǎn)生更多的電流。字母L在方程式和示意圖中代表電感器。

    串聯(lián)放置兩個(gè)電感會(huì )產(chǎn)生等效電感(Led),等于兩個(gè)電感之和:

    線(xiàn)性度-L1 + L2

    將兩個(gè)電感器串聯(lián)放置后,電流將減小到較小電感器將允許流動(dòng)的值。由于這個(gè)因素,等效電感變?yōu)椋?span>

    leg = L1 + L2≈L2

    將兩個(gè)電感器并聯(lián)放置會(huì )產(chǎn)生一個(gè)等效電感器,該等效電感等于兩個(gè)電感器的乘積除以?xún)蓚€(gè)電感器的總和:

    Leq = L1L2 / L1 + L2

    由于電感會(huì )改變電流,因此也會(huì )引起功耗,我們將其測量為以歐姆為單位的感抗。電感電抗的最終結果是電流減少。如下式所示,電感電抗(XL)隨頻率(f)和電感值(L)變化:

     XL =2πfL

    互感

    穿過(guò)電路的磁通量會(huì )影響該電路中的電流以及位于第一電路附近的電路中的電流。當第一個(gè)電路產(chǎn)生的磁場(chǎng)與下一個(gè)電路中的導體相交時(shí),它會(huì )產(chǎn)生電流。原始電路存在一個(gè)磁場(chǎng),下一個(gè)電路存在另一個(gè)磁場(chǎng)。兩個(gè)場(chǎng)都與產(chǎn)生每個(gè)場(chǎng)的電流成比例。

    隨著(zhù)電流的流動(dòng),這兩個(gè)磁場(chǎng)相互作用,并且通過(guò)互感而成為一個(gè)磁場(chǎng),該磁場(chǎng)的一部分受到第一電流的影響,另一部分受到第二電流的影響?;ジ辛咳Q于電路的幾何布置。將電路分開(kāi)放置可減少互感量。

    有微量

    寄生電感會(huì )在高速電路中產(chǎn)生不同類(lèi)型的問(wèn)題。雜散電感可能會(huì )通過(guò)組件引線(xiàn)和PCB走線(xiàn)而出現問(wèn)題,從而導致信號完整性問(wèn)題。這些問(wèn)題表現為串擾,噪聲耦合和感應電流引起的電磁干擾。

    即使導線(xiàn)或走線(xiàn)的物理面積很小并且產(chǎn)生少量的雜散電感,電流的變化也會(huì )產(chǎn)生高電壓。沿著(zhù)PCB走線(xiàn)的寄生電感會(huì )增加開(kāi)關(guān)電源引起的任何電壓尖峰的影響。

    下一個(gè)方程式顯示了直徑為0.15英寸,長(cháng)度為1/4英寸的組件引線(xiàn)的微亨電感量。在該方程式中,我們將使用自然對數底數eln)作為乘數。自然對數e是一個(gè)無(wú)理數e≈2.718。

    μh = .00508 x長(cháng)度{[ln x 2 x長(cháng)度/半徑]-.75}

    μh = .00508 x .25 x {[2.7182682372 x .25 / 0.075]-.75}

    μh = 0.00127 x 17.86

    μh = 0.022

    在平面上方延伸10密耳的1英寸長(cháng),10密耳寬的走線(xiàn)具有更小的電感量。以方程形式,納米亨利中的痕量電感顯示為:

    雖然這兩種寄生電感都很小,但上升的電流會(huì )通過(guò)產(chǎn)生明顯的電壓尖峰來(lái)影響電路。寄生電感也會(huì )影響信號完整性。例如,在高速運算放大器的同相輸入端發(fā)現的走線(xiàn)電感會(huì )導致低電平振蕩。此外,濾波電容器與PCB的連接處的寄生感應會(huì )降低電容器在高頻下的濾波效果,或導致阻抗失配形成并引起反射。

    減少電路設計中的寄生電感始于減小走線(xiàn)覆蓋的等效環(huán)路面積。在電源和接地層之間布設敏感走線(xiàn),可防止來(lái)自一層信號的EMI引起PCB另一層的信號。

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