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技術(shù)專(zhuān)題
如何在STM32系統中保護數據免受斷電影響
在嵌入式設備的開(kāi)發(fā)中，斷電時(shí)通常需要保存一些非易失性數據。如果添加了系統配置，用戶(hù)定義的信息等，并且添加了額外的ROM IC（例如基于I2C的24C02等），則額外的PCB空間將增加，硬件成本將增加，并且產(chǎn)品將減少。如果僅從實(shí)用角度出發(fā)，在諸如STM32系統的應用中，作者建議可以嘗試以下兩種方法并作為參考。
基于備份寄存器
原理：對于大容量MCU系列，它具有42個(gè)16位備份寄存器，而中小型微處理器僅具有10個(gè)16位備份寄存器。以stm32f103c8t6為例，這42個(gè)備份寄存器的地址偏移量為：0x04?0x28、0x40?0xbc，可以存儲84個(gè)字節的數據。備用寄存器取決于備用電源。當外部VDD掉電時(shí)，只要系統的Vbat可以正常存在，Bakeup domaain寄存器的內容就可以正常保存。
軟件編程的要點(diǎn)如下：以一個(gè)項目中常用的案例為例
函數初始化：
讀取備份寄存器：void BKP_ WriteBackupRegister（uint16_ t BKP_ DR，uint16_ t Data）
讀取備份寄存器：uint16_ t BKP_ ReadBackupRegister（uint16_ t BKP_ DR）
此方法簡(jiǎn)單明了，但由于缺少可用空間，因此僅適用于保存少量數據，例如用戶(hù)在可穿戴設備中的通用配置數據。
基于內部閃存
原理：閃存，也稱(chēng)為閃存，也是可以重寫(xiě)的存儲器。它分為nor flash和NAND flash。閃存通常不用于代碼存儲場(chǎng)合，例如嵌入式控制器中的程序存儲空間。而NAND閃存通常用于大數據存儲場(chǎng)合，例如U盤(pán)和固態(tài)硬盤(pán)，它們通常是NAND閃存類(lèi)型。
在STM32芯片中，閃存的讀寫(xiě)單位均基于“頁(yè)面”。以stm32f103c8t6為例，每頁(yè)大小為2K字節；
軟件編程要點(diǎn)
釋放寫(xiě)保護釋放：此方法基于以下前提：允許當前的讀寫(xiě)Flash，并且允許當前的Flash進(jìn)行寫(xiě)操作。因此，目前暫時(shí)不討論某些API，例如optionbytes操作和flash讀寫(xiě)保護操作。
Flashwrite：?jiǎn)蝹€(gè)uint32_
T數據寫(xiě)入的簡(jiǎn)單流程圖如下：
Flashread：對于單個(gè)int數據讀取，它相對簡(jiǎn)單，可以通過(guò)以下語(yǔ)句完成：rddata =（*（）__
IOuint32_ t *）dataAddr）；
由于SW中涉及許多API，并且編碼人員還需要理解許多其他背景知識，因此使用此方法相對復雜。但是，由于數據保存在頁(yè)面中，因此頁(yè)面大小最大為2048字節，因此該方法可用于保存掉電時(shí)不容易丟失的大數據?？紤]到閃存讀寫(xiě)保護的邏輯機制，最好在不考慮數據安全性的情況下使用此方法。
對于這種斷電保護數據方法，這里只是丟磚引玉，歡迎您提出更好的方案。