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單片機開(kāi)發(fā)開(kāi)關(guān)穩壓器：當所有東西都在芯片上時(shí)
開(kāi)關(guān)調節器可以整體或通過(guò)控制器構造。在一個(gè)單片開(kāi)關(guān)穩壓器，所述各功率開(kāi)關(guān)，通常的MOSFET中，在單個(gè)硅芯片內集成。對于控制器，除了控制器IC外，還必須分別選擇和放置功率半導體。
MOSFET的選擇是耗時(shí)的，需要一定的了解的的參數開(kāi)關(guān)的，一些設計師不必處理使用單片設計時(shí)。另外，與高度集成的解決方案相比，控制器解決方案通常在板上占用更多的空間。
因此，這也難怪，在幾年， ever-更多的開(kāi)關(guān)穩壓器已被單片執行。今天，有一個(gè)大的選擇的西裝能夠提供解決方案，甚至對更高功率。圖1示出了整體式的降壓轉換器上的左側和一個(gè)控制器溶液上的右側。
1.所示為單片降壓轉換器（左）和帶有外部開(kāi)關(guān)的控制器解決方案（右）。
單片穩壓器與控制器
而 單片 解決方案 需要更少的空間，并在設計過(guò)程被簡(jiǎn)化，一個(gè)優(yōu)點(diǎn)一個(gè)的控制器解決方案是更靈活性。設計者可以選擇最優(yōu)化，應用程序特定的可切換的控制器的解決方案，而且也進(jìn)入門(mén)，用于開(kāi)關(guān)，使得開(kāi)關(guān)的邊緣被影響與聰明就業(yè)的無(wú)源部件。此外，控制器解決方案特別適合高功率 因為大的離散開(kāi)關(guān)可以被選擇和切換損失消散從熱分離的控制器 IC。
但是，除了支持或反對 整體解決方案的這些眾所周知的論點(diǎn)外，通常不會(huì )考慮另一方面。在開(kāi)關(guān)穩壓器中，所謂的熱環(huán)路對于低輻射發(fā)射至關(guān)重要。在所有開(kāi)關(guān)穩壓器中，應盡可能優(yōu)化EMC。一個(gè)用于實(shí)現此的基本規則是，以最小化寄生電感中的各自的熱循環(huán)。
在一個(gè)降壓轉換器，該路徑之間的輸入電容器和所述高側開(kāi)關(guān)，所述高側開(kāi)關(guān)和低側開(kāi)關(guān)和所述低壓側開(kāi)關(guān)之間的連接之間的連接和輸入電容器，是的一部分熱循環(huán)。它們是電流路徑，電流以開(kāi)關(guān)轉換的速度變化。通過(guò)該快速電流變化，電壓經(jīng)由寄生電感和可耦合到不同的電路段作為偏移形式的干擾。
因此，熱回路中的這些寄生電感必須保持盡可能低。圖2示出了各熱回路（紅色）的一個(gè)路徑單片式開(kāi)關(guān)穩壓上左側和一個(gè)控制器溶液上的權利。我們可以看到有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)的單片SOLU重刑。
2.給出了單片式開(kāi)關(guān)調節器（左）和帶有控制器IC的解決方案（右）的熱回路的幾何布置。
首先，熱循環(huán)小于控制器的熱循環(huán)。其次，之間的連接路徑的高側開(kāi)關(guān)和低側開(kāi)關(guān)是非常短的并且只排到于硅。在比較，對于用溶液的控制器IC，該連接的電流路徑必須通過(guò)寄生路由電感的的包裝，通常與寄生電感從接合線(xiàn)和引線(xiàn)框架。這將導致一個(gè)更高的電壓偏移，并符合ingly，較差的EMC 行為。
結果，單片開(kāi)關(guān)穩壓器在EMI方面提供了另一個(gè)鮮為人知的優(yōu)勢。這種干擾有多高以及如何影響電路取決于許多其他參數。但是，單片開(kāi)關(guān)穩壓器與帶有控制器IC的解決方案在EMC行為方面有所不同的基本思想值得考慮。