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    單片機行業(yè)發(fā)展趨勢

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    單片機行業(yè)發(fā)展趨勢


    近年來(lái),單片機向高性能、多品種方向發(fā)展的趨勢將進(jìn)一步向CMOS、低功耗、小體積、大容量、高性能、低價(jià)格和外圍電路集成方向發(fā)展。以下是單片機的主要發(fā)展趨勢。

    近年來(lái),隨著(zhù)CHMOS技術(shù)的發(fā)展,單片機的CMOS得到了極大的發(fā)展。除了低功耗的特點(diǎn)外,CMOS芯片還具有功耗的可控性,使單片機能夠在工作狀態(tài)下對功耗進(jìn)行精細管理。這也是80C51在未來(lái)取代8051成為標準MCU芯片的原因。因為大多數的單片機都是用CMOS半導體工藝生產(chǎn)的。CMOS電路具有低功耗、高密度、低速度、低價(jià)格等特點(diǎn)。采用雙極半導體技術(shù)的TTL電路速度快,但功耗大,芯片面積大。隨著(zhù)技術(shù)和工藝水平的提高,高密度、高速MOSCHMOS工藝再次出現。CHMOSHMOs過(guò)程的結合。目前,CHMOS電路已達到LSTTL的速度,傳輸延遲時(shí)間小于2ns。其綜合優(yōu)勢在于TTL電路。因此,在單片機領(lǐng)域,CMOS正逐漸取代TTL電路

    低功耗單片機的功耗一直在Ma級,甚至小于1uA,使用電壓在3~6V之間,完全適合電池工作。低功耗的效果不僅是低功耗,而且是產(chǎn)品的高可靠性、高抗干擾能力和便攜性。

    低壓下幾乎所有單片機都有等待、停止等節電操作方式。允許電壓范圍越來(lái)越寬,一般工作在3~6V范圍內,低壓?jiǎn)纹瑱C的電源下限已達到1~2V,目前已推出0.8V電源的單片機。

    為了提高單片機的抗電磁干擾能力,使產(chǎn)品適應惡劣的工作環(huán)境,滿(mǎn)足更高的電磁兼容標準的要求,各單片機廠(chǎng)商在內部電路上采取了新的技術(shù)措施單片機的。過(guò)去大容量單片機的ROMRAM分別為1KB~4KB64~128B。但是,在控制復雜的情況下,存儲容量不夠,必須對外擴展。為了滿(mǎn)足這一領(lǐng)域的需求,有必要采用一種新的技術(shù)使片上存儲器規?;?。目前,單片機的最大ROMRAM分別為64KB2KB。

    高性能主要是指進(jìn)一步提高CPU的性能,加快指令操作速度,提高系統控制的可靠性。采用RISC結構和流水線(xiàn)技術(shù),可以大大提高運行速度。目前,較高的指令速度已經(jīng)達到100mips以及增強的位處理、中斷和定時(shí)控制功能。這種單片機的運算速度是標準單片機的10倍。由于這種單片機具有很高的指令速度,可以用軟件模擬其I/O功能,因此引入了虛擬外設的概念。

    小容量和低價(jià)格正是上述情況的相反,以4位和8位計算機為核心的小容量和低價(jià)格也是發(fā)展趨勢之一。這種單片機的目的是使控制電路由數字邏輯集成電路單片構成,可普遍應用于家用電器中。

    外圍電路集成方向發(fā)展,這也是單片機發(fā)展的主要方向。隨著(zhù)集成度的不斷提高,在芯片中集成多種外圍功能器件成為可能。芯片集成組件除CPU、ROM、RAM、定時(shí)器/計數器等外,還包括模數轉換器、DMA控制器、聲音發(fā)生器、監控定時(shí)器、LCD驅動(dòng)器、彩電電視機、錄像機等。

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