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東芝Cortex-M MCU新路線(xiàn)圖
東芝透露了其Arm Cortex-M微控制器計劃，宣布200MHz（254 DMIPS）40nm部件“比現有的65nm器件功耗降低約30％”，并宣布采用SONOS內存的130nm部件。
該系列分為兩個(gè)設備類(lèi)：
使用Arm Cortex-M3或帶浮點(diǎn)單元（FPU）的Cortex-M4，在40nm處具有TXZxA +（“高端”為A）。采用Arm Cortex-M0，Cortex-M3或Cortex-M4內核，SONOS存儲器而非閃存的130nm CMOS中的TXZxE +（E表示“輸入”）。
該公司表示：“通過(guò)東芝原始IP模塊的豐富，這些設備適用于各種目標應用，例如家用電器，工業(yè)和電機控制應用以及通信和數據處理。”
該 TXZxA +陣容將是“功能對準引腳兼容現有的65nm TXZ設備使客戶(hù)能夠無(wú)縫地遷移到新的微控制器系列”，東芝表示。
功能將包括一個(gè)內置的高精度振蕩器（尚未指定精度）和一個(gè)不需要外部電容器的單電源調節器。
提供給《電子周刊》的信息也提到了“前置驅動(dòng)器”，而沒(méi)有進(jìn)一步說(shuō)明-東芝通常使用該短語(yǔ)來(lái)描述mosfet柵極驅動(dòng)器，以驅動(dòng)繼續驅動(dòng)電動(dòng)機或d繼電器的外部mosfete-尋求澄清。
該公司表示，通用的寄存器圖和家庭內部足跡兼容性將簡(jiǎn)化設計和重復使用。
最初的工程樣品計劃于今年第三季度提供，然后在2021年第二季度提供客戶(hù)樣品并進(jìn)行批量生產(chǎn)。
TXZxE + 部件將用于基本控制應用，并由東芝子公司日本半導體公司制造。他們將成為首批使用氧化硅，氮化硅，氧化硅（SONOS）非易失性存儲器而非閃存的東芝MCU。
該公司與Floadia合作開(kāi)發(fā)了這種內存，這就是Floadia的G1 SONOS，據說(shuō)它的閃存泄漏較少。初始工程樣品計劃于第二季度進(jìn)行，而客戶(hù)樣品和批量生產(chǎn)計劃于2020年第四季度進(jìn)行。至少，在惡劣的工業(yè)環(huán)境中，某些TXZ +部件的額定工作溫度可達+ 125°C。
備注：68μA / MHz，而現有TMPM4G9F15FG為100μA / MHz。