24小時(shí)聯(lián)系電話(huà):18217114652、13661815404
中文
行業(yè)資訊
VRM MOSFET溫度及其調節方法
當MOSFET導通時(shí)，電流流過(guò)該組件。在理想情況下，所有提供的電源都將轉移到負載，在這種情況下，轉移到CPU和相關(guān)組件。在現實(shí)生活中，一些功率會(huì )通過(guò)MOSFET的熱量散發(fā)，這會(huì )大大提高其溫度。
MOSFET溫度的電勢升高取決于其熱阻。熱阻以°C / W表示。與MOSFET的功耗相比，它表明溫度升高。在數據表中，您經(jīng)常會(huì )找到參數R thJC和R thJA。
R thJC是指結溫與殼體之間的溫差，而R thJA是指結溫與環(huán)境之間的溫差。要了解VRM MOSFET的溫度，請使用R thJA值。
計算MOSFET的功耗
首先計算開(kāi)關(guān)MOSFET的功耗。您可以通過(guò)如下計算總的電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)實(shí)現：
PD MOSFET總和= PD電阻+ PD開(kāi)關(guān)
查找電阻損耗
電阻損耗PDRESISTIVE可通過(guò)以下公式計算：
PD電阻= [ ILOAD2 ×R DS（ON）HOT]×（V OUT / V IN）
查找開(kāi)關(guān)損耗
獲取開(kāi)關(guān)損耗更為復雜，但可以使用以下公式完成：
PD SWITCHING =（C RSS ×V IN 2×F SW ×I LOAD）/ I GATE
C RSS是MOSFET的反向傳輸電容，可以在數據手冊中找到。
一旦耗散了總功率，您將了解MOSFET的溫度，如下所示：
T J = PD MOSFET 總數x R thJA + T A
對于CPU，獲得100°C或更高的值并不罕見(jiàn)。這就是在為高端CPU和GPU供電時(shí)MOSFET會(huì )變得多么熱。在下一節中，我們將探討如何控制VRM MOSFET的溫度。
如何調節VRM MOSFET溫度
散熱器有助于將熱量從VRM MOSFET散發(fā)出去
在驅動(dòng)耗電芯片時(shí)，VRM MOSFET不可避免地會(huì )釋放出大量的熱量。由于不能選擇使用冰浴，因此您需要采取一種現實(shí)的方法來(lái)調節溫度，以免影響其效率和壽命。
主板本身就是保持熱量受控的有效方法。顯然，散熱器很容易分散MOSFET的熱量，因為它們的目的是將熱量從高溫器件轉移出去。適當通風(fēng)的外殼有助于將加熱的空氣排到外部，這意味著(zhù)您需要安裝冷卻風(fēng)扇。在某些情況下，使用液態(tài)冷卻劑來(lái)保持MOSFET溫度處于受控狀態(tài)。然后熱量通過(guò)循環(huán)的冷卻劑傳遞到散熱器。
對于PCB設計人員而言，您可以通過(guò)無(wú)源技術(shù)來(lái)控制VRM MOSFET的溫度，例如分配大量的散熱孔以幫助散熱。另外，請確保溫度敏感元件不要放在MOSFET附近。