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技術(shù)專(zhuān)題
新型PMOS器件注意NMOS的低導通電阻
盡管寬帶隙半導體(如SiC和GaN)在高壓應用(如數據中心和電動(dòng)汽車(chē))中變得越來(lái)越流行,但硅FET并沒(méi)有被遺忘。
硅,SiC和GaN中效率與開(kāi)關(guān)頻率的關(guān)系。
由于硅FET仍被更廣泛地使用,因此設計人員也要求該技術(shù)在更高電壓下也要求更高的效率。為了應對這一挑戰,ROHM Semiconductor最近宣布了其第五代P溝道MOSFET,以提高高端開(kāi)關(guān)應用的性能。
NMOS與PMOS布局
N溝道(NMOS)和P溝道(PMOS)MOSFET之間的區別與ROHM的宣布有關(guān),因為該公司正在努力將N溝道MOSFET的某些優(yōu)勢帶入這個(gè)新的P溝道MOSFET系列。
CMOS技術(shù)中的NMOS和PMOS硅布局。
NMOS和PMOS器件的工作原理相同,但是可以將它們視為彼此相反的事物。從硅布局的角度來(lái)看,NMOS由兩個(gè)負摻雜的n +阱(用于漏極和源極)和正摻雜的p型襯底組成。另一方面,PMOS具有兩個(gè)正摻雜的p +型阱和一個(gè)負摻雜的n型襯底。
當在柵極電壓的高側使用時(shí),NMOS器件具有更高的效率-在高于所需電壓的輸入電壓下。但是,這可能導致復雜的電路配置?;蛘?,由于PMOS器件可以用低于輸入電壓的柵極電壓驅動(dòng),因此可以簡(jiǎn)化電路配置并減少設計負載。
不同的布局,不同的操作
布局上的這種差異導致操作上的差異。
為了在NMOS中感應出溝道,設計人員必須在柵極上相對于源極施加非常正的電壓,以在溝道中形成一個(gè)反型層,從而允許負電子在漏極和源極之間流動(dòng)。PMOS需要相反的要求,即在柵極上需要相對于源極的低電平電壓,并允許空穴流過(guò)溝道。
這種現象比簡(jiǎn)單解釋中所包含的復雜性要大得多。下圖顯示了整個(gè)工作區域和偏置要求的更全面視圖。
NMOS與PMOS工作區,偏置點(diǎn)和電流方程式。
除了必須在不同的偏置點(diǎn)下工作之外,NMOS和PMOS器件還具有不同的載流子類(lèi)型(空穴與電子)。電子具有比空穴高得多的遷移率(高出空穴兩到三倍),這意味著(zhù)NMOS器件往往具有更高的功率效率,且開(kāi)關(guān)時(shí)間更短,R DS(on)值更低。
弱1和0
如果PMOS裝置速度較慢且效率較低,為什么還要使用它們呢?有時(shí),它們是唯一的選擇。在某些應用程序中,NMOS設備不能總是有效地使用。
當用VDD驅動(dòng)時(shí),NMOS器件通過(guò)“弱1”。
由于前面討論的偏置點(diǎn)要求,NMOS器件不太適合用作上拉器件。為了使NMOS導通,VGS必須大于Vt。如果漏極連接到VDD(上拉配置)并以等于VDD的電壓驅動(dòng),則其源極只能達到VGS-VT。由于無(wú)法通過(guò)設備的整個(gè)電壓,因此稱(chēng)為“弱1”。
同樣,PMOS器件會(huì )傳遞“弱0”,不適合下拉網(wǎng)絡(luò )。
復雜電路
因此,要在上拉應用中成功使用NMOS器件,設計人員必須以高于輸入電壓的電壓電平驅動(dòng)柵極。當然,這里的問(wèn)題是,這需要復雜的額外電路,包括DC-DC轉換器來(lái)生成額外的電壓。否則,必須接受PMOS的相對低效率。
盡管NMOS將始終具有比PMOS更高的工作效率,但這并不是說(shuō)PMOS無(wú)法改進(jìn)。這似乎是ROHM的第五代PMOS器件的意圖。
根據ROHM的說(shuō)法,新一代器件同時(shí)具有-40 V和-60 V器件,與傳統產(chǎn)品相比,R DS(on)降低了62%和52%。這些值可以低至5.2毫歐,高至78毫歐。
ROHM的第5代PMOS器件的應用電路。
ROHM聲稱(chēng),這些改進(jìn)是在器件結構中集成優(yōu)化的結果,同時(shí)“采用了一種新的設計來(lái)減輕電場(chǎng)集中在柵極溝槽拐角處的電場(chǎng)集中”。這樣,該公司能夠提高可靠性,同時(shí)最大程度地降低導通電阻。
升級電源管理和工業(yè)交換機
使用效率更高的PMOS器件,設計人員在他們的應用中無(wú)需面對NMOS和PMOS器件之間的折衷。ROHM預計,該新系列對于在工業(yè)或大型消費類(lèi)設備中使用風(fēng)扇電機和電源管理開(kāi)關(guān)或工業(yè)開(kāi)關(guān)的設計人員很有用。這可能會(huì )擴展到機器人技術(shù),交流系統和工廠(chǎng)自動(dòng)化。